詳細資料：

英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4卡特電源配件

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；可控硅，電容，電源，風機，傳感器，IPM模塊;半導體功率模塊;變頻器配件 ，驅動板，控制板 ，CUVC板

彼得卡特電源IGBT模塊FZ2400R17KF4

以下是關于 **英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4** 的詳細信息整理：

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### **1. 關鍵參數**

- **電壓等級**：集射極擊穿電壓為 **1700 V**，適用于中高壓場景。

- **電流能力**：連續(xù)集電極電流（Ic）為 **2400 A**，峰值電流（ICRM）可達更高值，適合高功率應用。

- **開關特性**：采用 **TRENCHSTOP™ IGBT7** 技術，具有低導通壓降（VCE(sat)）和優(yōu)化的開關損耗。

- **熱性能**：工作結溫（Tvj）范圍為 **-40°C 至 175°C**，支持過載條件下的高溫運行。

- **封裝**：模塊化設計，底座安裝，封裝型號為 **AG-62MM**，具備高爬電距離和電氣間隙，符合 **UL1557** 認證。

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### **2. 應用領域**

- **工業(yè)變頻器**：用于西門子等品牌的變頻器配件，支持高功率電機驅動。

- **新能源系統(tǒng)**：適用于太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)及不間斷電源（UPS）。

- **牽引與運輸**：在商用車輛、軌道交通的牽引系統(tǒng)中發(fā)揮高可靠性優(yōu)勢。

- **電焊與電源轉換**：用于電焊機、電感充電器和電磁爐等高電流場景。

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### **3. 技術優(yōu)勢**

- **高功率密度**：通過優(yōu)化封裝設計，減少并聯(lián)需求，降低系統(tǒng)成本。

- **低損耗設計**：采用第四代溝槽柵/場終止技術，提升開關效率，減少熱損耗。

- **強散熱能力**：支持銅基板或AlSiC基板，提高熱循環(huán)能力，適用于長期高負載運行。

- **驅動兼容性**：柵極電阻需根據具體應用優(yōu)化，推薦參考數據手冊值的1-2倍范圍，以平衡開關速度與二極管反向恢復特性。

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### **4. 供應商與價格**

- **供應商**：北京京誠宏泰科技有限公司（提供多品牌電力電子器件）。

- **參考價格**：約 **18,888 元/只**（具體成交價以合同協(xié)議為準）。

- **交貨信息**：起訂量≥1只，發(fā)貨地位于北京昌平區(qū)或朝陽區(qū)。

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### **5. 相關型號對比**

- **同系列型號**：  

  - **FZ2400R17HP4_B28**：類似電壓/電流規(guī)格，價格約9,999元，工作溫度上限為150°C。  

  - **FZ2400R17KF6C-B2**：優(yōu)化續(xù)流二極管設計，適用于高di/dt場景。  

- **低電流版本**：如FZ1200R17KF4（1200A/1700V），價格約8,888元，適用于中等功率需求。

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如需進一步了解驅動電路設計或技術文檔，可參考英飛凌數據手冊或聯(lián)系供應商獲取支持。

產品參數：

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，配有第四代 溝槽柵/場終止 IGBT，

應用的解決方案

3300V IGBT模塊型號：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

特征描述

產品規(guī)格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：1700 V

電流 - 集電極 (Ic)：2400 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

產品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4卡特電源配件

優(yōu)勢：

具有高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產品應用領域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統(tǒng)

電機控制和驅動

商用、建筑和農用車輛 (CAV)

變頻器

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產業(yè)鏈供應商。

銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

操作面板

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF4

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器

電感充電器

電磁爐

第七代IGBT型號：

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7